有关系！
绝对有关系！
陆远江也是眉头紧锁，在想氮化硅在闪存上有啥用。
过往的经验告诉他，陈总绝对不会无的放矢，不会随便说一种元素的，这个氮化硅绝对有用。
就是一时间想不出来要应用在哪里，毕竟整个半导体工艺的工序太多了。
陈星在旁边也没敢打扰这二位，主要是他在这方面知道的实在不多……
突然，陆远江转过头和林先动对视了一眼，都从对方眼神中看到一种不可思议。
再看陈总现在，一脸的老婶在定，仿佛早知道自己能猜出来一样。
哎，陈总不愧是陈总啊。
一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。
“电子陷阱！”
“氮化硅能捕获电子！”
陆远江和林先动猛地一喊，把陈星吓了一跳，嗯？
这就有想法了？
“陈总，你的意思是说，IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动，这也是他们的核心专利范围，所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性，人为制造电子陷阱来控制，这样就完全绕开了他们的专利。”
“只需要在基础 MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了！”
“陈总，我服，我老陆服了。”
陆远江一边摇着头，一边看陈星那一脸淡定的样子，心里的佩服简直到了无可复加的地步。
林先动也是补充道：“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动，单元间存在电容耦合干扰，美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利，如果我们使用氮化硅，电子被绝缘介质离散陷阱锁住，无导体耦合，串扰天然更低，不需要浮栅专属补偿算法，就能规避大量工艺方法专利。”
“说不定我们能搞定这套工艺，未来还能卡住他们的脖子。”
“就是这个氮化硅一层结构是不够的，我们需要构成氧化物 - 氮化硅 - 氧化物这三层结构……”
“还有氮化硅的材料……”
“你们可以去无冬大师那看看。”卢伟兵急忙补充道，不就是半导体材料嘛，红星有单独的研发机构。
无冬大师就是专门搞这个的。
“走，老林，事不宜迟咱们先去无冬大师那看看，讨论一下氮化硅这种材料。”说着二人就站了起来，就说今天不白来。
还是陈总有先见之明啊，早早的就成立了半导体材料研发部门。
这格局，这眼光，这格调。
一个字——绝！
这俩人一唱一和，把陈星搞的都有点不好意思了，自己真不记得2D平面的时候用的什么工艺了，要不是上一世熟读《红星本纪》，估计连这个氮化硅都说不出来。
结果倒好，二人自己就脑补出来了。
“哎？陆教授和林博士这么着急干嘛去了？”
王藤刚进门就看到二人急急忙忙的往外走，给他们打招呼都不带搭理自己的，好奇的问向卢伟兵。
“有点新突破，着急去实验室。”卢伟兵言简意赅的说道。
“哦，陈总你喊我来什么事？平板吗？”
陈星指了指沙发，示意王藤坐下。
“平板的等下再说，杜经理还没到，刚才陆教授告诉我一个好消息，咱们的闪存颗粒量产了，就是性能和功耗上还有一定不足。”
“所以喊你过来说一声，我准备在明年的闪耀2上首发国产的闪存颗粒，你有什么想法没有？”
王藤略作思索，然后就满脸的兴奋，凌霄芯片是闪耀首发。
国产闪存还是闪耀首发。
这是什么？
闪耀才是红星最重要的品牌好不好！
“产能和性能如何？”王藤直指核心的问道。
“按16G装机来计算，约3000万，32G会少一半，性能的话只有三星的70-80%，而且功耗和面积更大一点。”
听到功耗大，面积大，王藤有点为难，主要是闪耀2全系列都到S3了，也就是第三版工程机了，这个版本基本就是最终定型版本。
这时候换国产颗粒，面积功耗更大那就需要动主板设计。
一来二去又得重新搞一下。
“陈总，时间上倒是没问题，距离明年4月还有半年时间，可问题是闪耀2用的是魔改超频H1，发热和功耗就很大，再加上这个闪存，我有点担心散热会……”
王藤刚说完，陈星就笑呵呵的把平板打开递给了他，上面还停留着刚刚陆远江看的那些散热内容。
“这是……”
“新的散热结构？”
王藤有点惊喜的抬头看向陈星，VC液冷散热片，铜管散热，有了这个还怕个der。
玛德，回去就把H1频率再开0.1GhZ试试。
“不错，新的散热结构，VC你不用看，这是旗舰机用的，成本闪耀也接受不了，那个铜管方案你倒是可以先拿去测试一下，看看核心温度能不能稳定下来。”
“不过陈总，这玩意好像一般的厂商生产不出来吧……”王藤看完所有结构和参数后，弱弱的说道。
一个铜管看似简单，可实际上很困难的，这玩意属于毛细管的范畴，或者说比毛细管还要细，生产PC铜管散热的厂商根本就生产不了。
普通的铜管精密加工厂也生产不了，因为这个铜管内部是有毛细管让液体回流的。
陈星一拍脑袋，得，自己怎么忘了这回事。
自己把散热给忽略了，也就没有提前布局这方面的厂商。
王藤说的没错，确实一般厂商生产不了，得找专门的厂商进行工艺和烧结，拉伸产线改造才行。
看陈总有点苦恼，看了卢伟兵一眼后，王藤一拍胸脯对陈星说：“陈总，没事，我和卢总不知道什么厂能生产，但有人肯定知道！”
绝对有关系！
陆远江也是眉头紧锁，在想氮化硅在闪存上有啥用。
过往的经验告诉他，陈总绝对不会无的放矢，不会随便说一种元素的，这个氮化硅绝对有用。
就是一时间想不出来要应用在哪里，毕竟整个半导体工艺的工序太多了。
陈星在旁边也没敢打扰这二位，主要是他在这方面知道的实在不多……
突然，陆远江转过头和林先动对视了一眼，都从对方眼神中看到一种不可思议。
再看陈总现在，一脸的老婶在定，仿佛早知道自己能猜出来一样。
哎，陈总不愧是陈总啊。
一个元素就能指明绕过IBM和美光专利的路线。
“电子陷阱！”
“氮化硅能捕获电子！”
陆远江和林先动猛地一喊，把陈星吓了一跳，嗯？
这就有想法了？
“陈总，你的意思是说，IBM用的是导电浮栅来控制电子的移动，这也是他们的核心专利范围，所以我们利用氮化硅能捕获电子的特性，人为制造电子陷阱来控制，这样就完全绕开了他们的专利。”
“只需要在基础 MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行业通用基础专利进行小额授权就够了！”
“陈总，我服，我老陆服了。”
陆远江一边摇着头，一边看陈星那一脸淡定的样子，心里的佩服简直到了无可复加的地步。
林先动也是补充道：“常规工艺是电子在导体浮栅自由移动，单元间存在电容耦合干扰，美光拥有耦合抑制、浮栅电荷均衡全套方法专利，如果我们使用氮化硅，电子被绝缘介质离散陷阱锁住，无导体耦合，串扰天然更低，不需要浮栅专属补偿算法，就能规避大量工艺方法专利。”
“说不定我们能搞定这套工艺，未来还能卡住他们的脖子。”
“就是这个氮化硅一层结构是不够的，我们需要构成氧化物 - 氮化硅 - 氧化物这三层结构……”
“还有氮化硅的材料……”
“你们可以去无冬大师那看看。”卢伟兵急忙补充道，不就是半导体材料嘛，红星有单独的研发机构。
无冬大师就是专门搞这个的。
“走，老林，事不宜迟咱们先去无冬大师那看看，讨论一下氮化硅这种材料。”说着二人就站了起来，就说今天不白来。
还是陈总有先见之明啊，早早的就成立了半导体材料研发部门。
这格局，这眼光，这格调。
一个字——绝！
这俩人一唱一和，把陈星搞的都有点不好意思了，自己真不记得2D平面的时候用的什么工艺了，要不是上一世熟读《红星本纪》，估计连这个氮化硅都说不出来。
结果倒好，二人自己就脑补出来了。
“哎？陆教授和林博士这么着急干嘛去了？”
王藤刚进门就看到二人急急忙忙的往外走，给他们打招呼都不带搭理自己的，好奇的问向卢伟兵。
“有点新突破，着急去实验室。”卢伟兵言简意赅的说道。
“哦，陈总你喊我来什么事？平板吗？”
陈星指了指沙发，示意王藤坐下。
“平板的等下再说，杜经理还没到，刚才陆教授告诉我一个好消息，咱们的闪存颗粒量产了，就是性能和功耗上还有一定不足。”
“所以喊你过来说一声，我准备在明年的闪耀2上首发国产的闪存颗粒，你有什么想法没有？”
王藤略作思索，然后就满脸的兴奋，凌霄芯片是闪耀首发。
国产闪存还是闪耀首发。
这是什么？
闪耀才是红星最重要的品牌好不好！
“产能和性能如何？”王藤直指核心的问道。
“按16G装机来计算，约3000万，32G会少一半，性能的话只有三星的70-80%，而且功耗和面积更大一点。”
听到功耗大，面积大，王藤有点为难，主要是闪耀2全系列都到S3了，也就是第三版工程机了，这个版本基本就是最终定型版本。
这时候换国产颗粒，面积功耗更大那就需要动主板设计。
一来二去又得重新搞一下。
“陈总，时间上倒是没问题，距离明年4月还有半年时间，可问题是闪耀2用的是魔改超频H1，发热和功耗就很大，再加上这个闪存，我有点担心散热会……”
王藤刚说完，陈星就笑呵呵的把平板打开递给了他，上面还停留着刚刚陆远江看的那些散热内容。
“这是……”
“新的散热结构？”
王藤有点惊喜的抬头看向陈星，VC液冷散热片，铜管散热，有了这个还怕个der。
玛德，回去就把H1频率再开0.1GhZ试试。
“不错，新的散热结构，VC你不用看，这是旗舰机用的，成本闪耀也接受不了，那个铜管方案你倒是可以先拿去测试一下，看看核心温度能不能稳定下来。”
“不过陈总，这玩意好像一般的厂商生产不出来吧……”王藤看完所有结构和参数后，弱弱的说道。
一个铜管看似简单，可实际上很困难的，这玩意属于毛细管的范畴，或者说比毛细管还要细，生产PC铜管散热的厂商根本就生产不了。
普通的铜管精密加工厂也生产不了，因为这个铜管内部是有毛细管让液体回流的。
陈星一拍脑袋，得，自己怎么忘了这回事。
自己把散热给忽略了，也就没有提前布局这方面的厂商。
王藤说的没错，确实一般厂商生产不了，得找专门的厂商进行工艺和烧结，拉伸产线改造才行。
看陈总有点苦恼，看了卢伟兵一眼后，王藤一拍胸脯对陈星说：“陈总，没事，我和卢总不知道什么厂能生产，但有人肯定知道！”
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